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SiS892ADN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
50
40
30
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
50
40
30
20
10
20
10
T C = 25 ° C
V GS = 3 V
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0
0.0
1.0 2.0 3.0 4.0
5.0
0
0.0
1.6 3.2 4.8 6.4
8.0
0.0700
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
850
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.0600
0.0500
680
510
C iss
C oss
0.0400
0.0300
V GS = 4.5 V
V GS = 7.5 V
V GS = 10 V
340
170
C rss
0.0200
0
8
16 24
I D - Drain Current (A)
32
40
0
0
16
32 48 64
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
80
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
Capacitance
I D = 10 A
I D = 10 A
V GS = 10 V
8
6
V DS = 25 V
V DS = 50 V
1.7
1.4
4
2
V DS = 75 V
1.1
0.8
V GS = 4.5 V
0
0.0
2.8
5.6 8.4 11.2
14.0
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 62716
S12-1259-Rev. A, 21-May-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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